Transistor máis rápido

2005/06/01 Elhuyar Zientzia Iturria: Elhuyar aldizkaria

• Fisika

Investigadores de EE.UU crearon o transistor máis rápido posible, con
frecuencias superiores aos 600 gigas. Os transistores están formados por capas de materiais semiconductores. Neste caso, a variación progresiva da composición da capa á capa permitiu obter un transistor de alta velocidade. Os investigadores consideran, ademais, que o uso desta mesma tecnoloxía podería supor aínda a fabricación de transistores máis rápidos, que se atopan nas terahercias.