Transistor plus rapide

2005/06/01 Elhuyar Zientzia Iturria: Elhuyar aldizkaria

• Fisika

Des chercheurs américains ont créé le transistor le plus rapide possible, avec
des fréquences supérieures à 600 gigas. Les transistors sont formés par des couches de matériaux semi-conducteurs. Dans ce cas, la variation progressive de la composition de la couche à la couche a permis d'obtenir un transistor à grande vitesse. Les chercheurs considèrent en outre que l'utilisation de cette même technologie pourrait encore entraîner la fabrication de transistors plus rapides, qui se trouvent dans les terahercias.