Transistor más rápido

2005/06/01 Elhuyar Zientzia Iturria: Elhuyar aldizkaria

• Fisika

Investigadores de EE.UU han creado el transistor más rápido posible, con
frecuencias superiores a los 600 gigas. Los transistores están formados por capas de materiales semiconductores. En este caso, la variación progresiva de la composición de la capa a la capa ha permitido obtener un transistor de alta velocidad. Los investigadores consideran, además, que el uso de esta misma tecnología podría suponer aún la fabricación de transistores más rápidos, que se encuentran en las terahercias.