Silizioa purutzeko alternatiba berria

Txipak egiteko teknologiak aurrerapauso bat egin lezake laster; izan ere, silizioa purutzeko metodoa hobetu egin dute Japoniako kimikari batzuek. Silizioa zirkuitu integratuen oinarrizko osagaia da, eta, beraz, metodo berriak eragin ekonomiko handia izan dezake txipen industrian.

Silizioa silizetik erauzten da, eta silizea hondarrean dago, hau da, naturan oso elementu ugaria da. Hala eta guztiz ere, hondarretik silizioa erauzteko prozesuan oso tenperatura altuak behar dira, eta horrek garestitu egiten du prozesua.

Ohiko metodologiari jarraituta, lehendabizi silizea urtu behar da, eta, horretarako, 1.700 ºC ingururaino berotu behar da. Japoniako kimikarien metodoak, aldiz, silize solidoa murgiltzen du kaltzio kloruro likidoan; ondoren, gatz hori likidotu egin behar da, baina horretarako nahikoa da 850 ºC inguruko tenperatura. Hortik aurrerakoa prozesu elektrolitiko arrunta da: silizearen oxido-ioiak metalezko elektrodo batetik eliminatzen dituzte korronte egokia aplikatuta eta silizio purua geratzen da.

Purututako silizioa hauskorra izaten da, eta, beraz, oraingoz metodoa ez da egokia oxidatutako txipak 'berritzeko'; baina beste aplikazio asko proposatu dituzte zientzialariek.