Novos usos de nitruros de indio
2004/02/01 Elhuyar Zientzia Iturria: Elhuyar aldizkaria
O nitruro de indio pode acumular una carga negativa na súa superficie, algo pouco habitual en semiconductores como o seu. Até agora só se coñecía outro caso con esta propiedade, o do arseniuro indio.
Na maioría dos semiconductores aparece unha área con poucos electróns ao redor da superficie, o que supón una gran resistencia á hora de formar aliaxes con metais. Con todo, este problema podería evitarse si prodúcense na superficie semiconductores enriquecidos con electróns.
Revisando as propiedades do nitruro de indio, os investigadores do Reino Unido e Estados Unidos descubriron que pode ter condicións adecuadas. No laboratorio conseguiuse una acumulación de electróns e elimináronse barreiras que impiden as aliaxes. Isto facilita enormemente a fabricación de materiais híbridos con aliaxes metal-semiconductores, podendo ser de gran utilidade no campo da optoelectrónica. No futuro preténdese investigar as propiedades electrónicas do nitruro de indio e as súas aliaxes.
Gai honi buruzko eduki gehiago
Elhuyarrek garatutako teknologia
