Nous usos de nitrurs d'indi
2004/02/01 Elhuyar Zientzia Iturria: Elhuyar aldizkaria
El nitrur d'indi pot acumular una càrrega negativa en la seva superfície, una cosa poc habitual en semiconductors com el seu. Fins ara només es coneixia un altre cas amb aquesta propietat, el de l'arsenur indi.
En la majoria dels semiconductors apareix una àrea amb pocs electrons al voltant de la superfície, la qual cosa suposa una gran resistència a l'hora de formar aliatges amb metalls. No obstant això, aquest problema podria evitar-se si es produeixen en la superfície semiconductors enriquits amb electrons.
Revisant les propietats del nitrur d'indi, els investigadors del Regne Unit i els Estats Units han descobert que pot tenir condicions adequades. En el laboratori s'ha aconseguit una acumulació d'electrons i s'han eliminat barreres que impedeixen els aliatges. Això facilita enormement la fabricació de materials híbrids amb aliatges metall-semiconductors, podent ser de gran utilitat en el camp de l'optoelectrònica. En el futur es pretén investigar les propietats electròniques del nitrur d'indi i els seus aliatges.
Gai honi buruzko eduki gehiago
Elhuyarrek garatutako teknologia
