Intercambio de átomos

2003/12/01 Elhuyar Zientzia Iturria: Elhuyar aldizkaria

• Nanoteknologia

Se ha dado un paso adelante que puede ayudar a la fabricación de complejos nanocirugidos electrónicos: un grupo de físicos ha conseguido sustituir un átomo de silicio en la superficie de silicio por un átomo de fósforo.

Este es un hito importante ya que la incorporación al silicio de átomos de metales no conductores ayudará a diseñar complejos circuitos atómicos para el transporte de la electricidad.

El movimiento de los átomos metálicos por uno con el microscopio de efecto túnel no es nuevo, sino que se pueden extraer eléctricamente con la sonda del microscopio. Pero el movimiento de materiales semiconductores es algo muy distinto, y estos materiales son los que se utilizan para hacer nanochips.

Al no poder extraer directamente el átomo de silicio, en esta investigación han tenido que utilizar hidrógeno para moverlo. Cuando la piel de silicio es tratada con hidrógeno, éste se une inmediatamente a todos los átomos de silicio. A continuación, extrae el átomo de hidrógeno seleccionado por el investigador mediante la sonda del microscopio y se une al silicio en el que el fósforo ha quedado libre al tratar la piel con fósforo trihidro o fosfina.

Calentando esto hasta los 350 ºC, las moléculas se han desintegrado y el silicio y el fósforo se han reemplazado entre sí, es decir, un átomo ocupa el lugar del otro.